RJ45-sändarhylsor (magnetiska) för gigabit-ändamål (1000 base-T) med integrerad kompensering motverkar aktivt induktiva och kapacitiva kopplingar och gör att utrymme kan sparas på kretskortet.
Produktsortimentet omfattar följande designtyper: • 90 °, liggande (horisontell) och 180 °, stående (vertikal) • spärr upp/spärr ned • Lödningsprocess THT, THR eller SMD • Brett utbud av olika designtyper, även med inbyggda lysdioder och skärmade kontaktflikar • Överföringshastighet upp till 1 Gbit/s • Förpackad antingen på bricka (TY) eller antistatiskt på tape-on-reel (RL) • Kompatibel med modulär RJ45-anslutning enligt ANSI / TIA-1096-A och IEC 60603 • Dielektrisk styrka ≥1500 VAC RMS (2250 VAC toppvärde) enligt IEEE 802.3 • Dielektrisk styrka ≥1500 VAC (toppvärde) eller ≥1500 VDC enligt IEC 60603 • Uppfyller kraven i IEEE 802.3 (1000Base-T, 1 Gbit/s, IEEE 802.3ab eller 100Base-Tx, 100 Mbit/s, IEEE 802.3u)
Egenskaper och fördelar: • Utökat temperaturområde på –40 °C till +85 °C för maximal prestanda • Förstärkt guldlager (30 µ“) för förbättrat korrosionsskydd • Minst 0,3 mm fritt utrymme garanterar ett perfekt lödningsresultat
RJ45-sändarhylsor (magnetiska) för gigabit-ändamål (1000 base-T) med integrerad kompensering motverkar aktivt induktiva och kapacitiva kopplingar och gör att utrymme kan sparas på kretskortet.
Produktsortimentet omfattar följande designtyper: • 90 °, liggande (horisontell) och 180 °, stående (vertikal) • spärr upp/spärr ned • Lödningsprocess THT, THR eller SMD • Brett utbud av olika designtyper, även med inbyggda lysdioder och skärmade kontaktflikar • Överföringshastighet upp till 1 Gbit/s • Förpackad antingen på bricka (TY) eller antistatiskt på tape-on-reel (RL) • Kompatibel med modulär RJ45-anslutning enligt ANSI / TIA-1096-A och IEC 60603 • Dielektrisk styrka ≥1500 VAC RMS (2250 VAC toppvärde) enligt IEEE 802.3 • Dielektrisk styrka ≥1500 VAC (toppvärde) eller ≥1500 VDC enligt IEC 60603 • Uppfyller kraven i IEEE 802.3 (1000Base-T, 1 Gbit/s, IEEE 802.3ab eller 100Base-Tx, 100 Mbit/s, IEEE 802.3u)
Egenskaper och fördelar: • Utökat temperaturområde på –40 °C till +85 °C för maximal prestanda • Förstärkt guldlager (30 µ“) för förbättrat korrosionsskydd • Minst 0,3 mm fritt utrymme garanterar ett perfekt lödningsresultat
RJ45-sändarhylsor (magnetiska) för gigabit-ändamål (1000 base-T) med integrerad kompensering motverkar aktivt induktiva och kapacitiva kopplingar och gör att utrymme kan sparas på kretskortet.
Produktsortimentet omfattar följande designtyper: • 90 °, liggande (horisontell) och 180 °, stående (vertikal) • spärr upp/spärr ned • Lödningsprocess THT, THR eller SMD • Brett utbud av olika designtyper, även med inbyggda lysdioder och skärmade kontaktflikar • Överföringshastighet upp till 1 Gbit/s • Förpackad antingen på bricka (TY) eller antistatiskt på tape-on-reel (RL) • Kompatibel med modulär RJ45-anslutning enligt ANSI / TIA-1096-A och IEC 60603 • Dielektrisk styrka ≥1500 VAC RMS (2250 VAC toppvärde) enligt IEEE 802.3 • Dielektrisk styrka ≥1500 VAC (toppvärde) eller ≥1500 VDC enligt IEC 60603 • Uppfyller kraven i IEEE 802.3 (1000Base-T, 1 Gbit/s, IEEE 802.3ab eller 100Base-Tx, 100 Mbit/s, IEEE 802.3u)
Egenskaper och fördelar: • Utökat temperaturområde på –40 °C till +85 °C för maximal prestanda • Förstärkt guldlager (30 µ“) för förbättrat korrosionsskydd • Minst 0,3 mm fritt utrymme garanterar ett perfekt lödningsresultat
RJ45-sändarhylsor (magnetiska) för gigabit-ändamål (1000 base-T) med integrerad kompensering motverkar aktivt induktiva och kapacitiva kopplingar och gör att utrymme kan sparas på kretskortet.
Produktsortimentet omfattar följande designtyper: • 90 °, liggande (horisontell) och 180 °, stående (vertikal) • spärr upp/spärr ned • Lödningsprocess THT, THR eller SMD • Brett utbud av olika designtyper, även med inbyggda lysdioder och skärmade kontaktflikar • Överföringshastighet upp till 1 Gbit/s • Förpackad antingen på bricka (TY) eller antistatiskt på tape-on-reel (RL) • Kompatibel med modulär RJ45-anslutning enligt ANSI / TIA-1096-A och IEC 60603 • Dielektrisk styrka ≥1500 VAC RMS (2250 VAC toppvärde) enligt IEEE 802.3 • Dielektrisk styrka ≥1500 VAC (toppvärde) eller ≥1500 VDC enligt IEC 60603 • Uppfyller kraven i IEEE 802.3 (1000Base-T, 1 Gbit/s, IEEE 802.3ab eller 100Base-Tx, 100 Mbit/s, IEEE 802.3u)
Egenskaper och fördelar: • Utökat temperaturområde på –40 °C till +85 °C för maximal prestanda • Förstärkt guldlager (30 µ“) för förbättrat korrosionsskydd • Minst 0,3 mm fritt utrymme garanterar ett perfekt lödningsresultat
